三星固态硬盘evo和pro的区别有哪些(三星固态硬盘evo和pro的2大区别)

seoxin 06-10 18:03 16次浏览

三星固态硬盘PRO和EVO简单来说定位有所区别,PRO定位高端旗舰型号,EVO定位亲民大众型号。我从官方客服得到答案是,EVO用的是闪存颗粒是Samsung V-NAND 3bit MLC,PRO用的闪存颗粒是Samsung V-NAND 2bit MLC,而实际Samsung V-NAND 3bit MLC就是3D TLC颗粒。

所以可以总结为:PRO主要采用的是可靠性和性能非常出色的MLC NAND颗粒,EVO而采用的是性价比且可靠性也非常高的3D TLC NAND颗粒。

到底啥是MLC啥是TLC,大家可能有些晕,我先给大家简单普及下。

颗粒的传统分类:SLC、MLC、TLC

简单来说,NAND闪存中存储的数据是以电荷的方式存储在每个NAND存储单元内的,SLC、MLC及TLC就是存储的位数不同。

SLC(Single-Level Cell)单层式存储每个存储单元仅能储存1bit数据,同样,MLC(Multi-Level Cell)可储存2bit数据,TLC(Trinary-Level)可储存3bit数据。一个存储单元上,一次存储的位数越多,该单元拥有的容量就越大,这样能节约闪存的成本,提高NAND的生产量。

MLC的优势在于,TLC需要识别8种信号,而MLC只需要识别4种信号,可以花更少时间来读取数据。因此,3D NAND出现之前,MLC在性能和可靠性上,是高于TLC的。但是,随着三星的3D TLC的出现,TLC与MLC的性能和可靠性逐渐拉小差距。

3D NAND闪存:三星的杀手锏级产品

刚介绍的NAND闪存不仅有SLC、MLC和TLC类型之分,为了进一步提高容量、降低成本,NAND的制程工艺也在不断进步,从早期的50nm一路狂奔到目前的15/16nm。虽然先进工艺虽然带来了更大的容量,但是NAND闪存的制程工艺是双刃剑,容量提升、成本降低的同时可靠性及性能都在下降,因为工艺越先进,NAND的硅基越薄,可靠性也越差,厂商就需要采取额外的手段来弥补,但这又会提高成本,以致于达到某个点之后制程工艺已经无法带来优势了。

相比之下,3D NAND解决问题的思路就不一样了,想要提高NAND的容量、降低成本,厂商不需要费劲心思去提高制程工艺了,转而堆叠更多的层数就可以了,这样一来3D NAND闪存的容量、性能、可靠性都有了保证了。

由于已经向垂直方向扩展NAND密度,那就没有继续缩小晶体管的压力了,所以三星可以使用相对更旧的工艺来生产3D NAND闪存,做成3D V-NAND MLC或者3D V-NAND TLC。现在三星已经就这样做了,Pro是3D MLC,Evo是3D TLC。使用旧工艺的好处就是P/E擦写次数大幅提升,而且电荷干扰的情况也因为使用旧工艺而大幅减少。

三星闪存颗粒

过去房子基本都是一层平房,要想在固定大小的房子里隔出更多的房间,就需要压缩每个房间的空间。随着租客越来越多,房间空间越来越小了,只能放一张床了,再继续压缩的话,人都住不了。怎么办?聪明的建筑师想到了可以在房子上再盖房子,拓展垂直空间。现在好了,有人可以搬到楼上去,大家再也不用挤在那么小的房间。3D NAND闪存思想就是这样的,不是一味的在一个平面提升闪存密度,而是堆积多个平面,达到提升闪存容量的目的。将平房增加楼层盖成高楼,单位面积内可容纳的人就会更多,这点是同理的。

由此我们也可以得出结论3D MLC>3D TLC>2D MLC>2D TLC,现在不管购买三星PRO还是EVO都不用过分考虑SSD闪存寿命问题,可能电脑主机完全淘汰了SSD还健在,而从正常使用考虑三星EVO采用3D TLC技术也足以应对日常数据处理,追求更高性能的用户则可以考虑三星PRO系列产品,性能更为出色!

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